Oki Electric Industry анонсировала выпуск чипа высокочастотного коммутатора, ML81221GD, изготавливаемого с применением технологии "кремний-на-сапфире" (silicon-on-sapphire, SOS) и соответствующего техпроцесса UltraCMOS, разработанного корпорацией Peregrine Semiconductor. Микросхема совместима с наземными системами цифрового телевещания, включая разновидности, применяемые для мобильных телефонов, и обеспечивает, помимо низкого энергопотребления, высокий уровень изоляции, порядка 40 дБ на частоте 900 МГц (что соответствует 0,01% уровню утечки сигнала). Технология SOS является одной из разновидностей технологии "кремний-на-изоляторе" (silicon-on-insulator, SOI) и реализуется путем выращивания монокристалла кремния на сапфировой подложке. Последний материал известен своими высокими изолирующими характеристиками, а также низкой паразитной емкостью. Oki заключила альянс с Peregrine Semiconductor в 2003 г., его целью является разработка дизайна полупроводников, производство и продажа продукции, основанной на технологии UltraCMOS. Уровень энергопотребления ML81221GD составляет около пятой части, необходимой для работы аналогов, использующих соединения арсенида галлия (GaAS). Дополнительно к уже упомянутым достоинствам отмечается, что примененные в новом чипе материалы являются менее безопасными для окружающей среды за счет отсутствия соединений мышьяка.