Вот про тайминги. С оверов. Используем формулу TCk
CL = величина задержки (в наносекундах). CL, CAS Latency - время (в тактах) между подачей команды на чтение и началом передачи данных. TCk, Clock Cycle Time – период одного такта (измеряется в нс). Именно он и определяет частоту памяти. Считается она следующим образом: 1000/TCk=X Mhz (реальная частота). DDR-333 CL2 = 62 = 12 (нс) DDR-400 CL3 = 5
3 = 15 (нс) DDR2-667 CL4 = 34 = 12 (нс) DDR2-800 CL5 = 2.5
5 = 13 (нс) DDR2-800 CL6 = 2.56 = 15 (нс) DDR3-1066 CL7 = 1.9
7 = 13 (нс) DDR3-1333 CL9 = 1.59 = 15 (нс) Значения округленные. Многие считают, что более скоростная память "реагирует" медленнее, но из приведённых примеров очевидно, что это не так. Тайминги CL3 памяти DDR-400 ничем не лучше таймингов CL9 памяти DDR3-1333. Стоит отметить, что и между 12-15 нс на практике разницы нет.
Ссылка на пост
4 мая 2010 в 17:02